108T500
SILAR Yöntemiyle Elde Edilen İnce
Filmlerin Devre Elemanı Yapımında
Kullanılması ve bu Yapıların
Karakteristiklerinin İncelenmesi
1001 - Araştırma Projesi
Proje Yürütücüsü İletişim Bilgileri
Prof. Dr. Mustafa SAĞLAM
442 231 41 76
Bu projede, çok basit ve ucuz bir metot olan SILAR
metotu kullanılarak metal/ince film/yarı iletken
alternatif yapıları ilk kez inorganik yarı iletkenler
kullanılarak üretilmiş ve karakteristiklerinin de
zamanla oldukça kararlı olduğu görülmüştür.
Basit Kimyasal Yöntemlerle
Kararlı Karakteristiklere
Sahip Alternatif Devre
Elemanlarının Üretilmesi
Atatürk Üniversitesi
Prof. Dr. Mustafa SAĞLAM
Prof. Dr. Aytünç ATEŞ
Metal-yarı iletken kontaklar, elektronik sanayiinde son derece önemli yapılardır.
İdeal bir metal-yarı iletken doğrultucu kontakta engel yüksekliğinin oluşumunda,
kullanılan metalin karakteristikleri ve metal-yarı iletken arayüzey özellikleri
belirleyici en önemli parametrelerdir. Fakatmetal ve yarı iletken arasına yerleştirilen
ince bir tabaka ile bir metal-yarı iletken doğrultucu kontağın etkin engel yüksekliği
değiştirilebilir. Bu şekilde hem devre elemanının güvenli bir şekilde çalışması için
gerekli olan eklem özellikleri sağlanabilir, hem de metal ve yarı iletken arasındaki
etkin engel yüksekliği ayarlanabilir. Bu projede, oldukça basit ve ucuz olan SILAR
metotu kullanılarak Si ve GaAs yarı iletkenleri üzerinde çeşitli ince filmler elde
edilerek metal/ince film/yarı iletken alternatif yapıları elde edilmiştir ve elde
edilen yapıların eklem özellikleri sıcaklık, tavlama ve yaşlanmaya bağlı olarak
incelenmiştir. Elde edilen yapıların oldukça kararlı oldukları görülmüştür.
Elektronik sanayi
Proje Sonuçları ile İlgili Olabilecek Sektör, Kurum ve Kuruluşlar
Projenin Amacı ve Önemi
